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去年三星開(kāi)始提供業(yè)界首款速率為 24 Gbps 的 16Gb（2GB）GDDR6 內(nèi)存模塊，其基于三星 10nm 級(jí)別的 1z 工藝，采用了創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)、先進(jìn)的絕緣材料（HKMG）和極紫外（EUV）技術(shù)，搭載的動(dòng)態(tài)電壓開(kāi)關(guān)（DVS）技術(shù)可根據(jù)性能要求調(diào)整工作電壓，將電源效率提高了 20%，旨在提升下一代顯卡、筆記本電腦和游戲主機(jī)的圖形性能，同時(shí)也可以用在基于人工智能的應(yīng)用程序和高性能（HPC）系統(tǒng)。

根據(jù) Hassan Mujtaba 的報(bào)告，Rambus 預(yù)計(jì)更快的 GDDR6 將會(huì)在今年年底前投入生產(chǎn)，速率將達(dá)到 24 Gbps。

一直以來(lái)，GDDR6X 相比 GDDR6 都有著更高的速率，美光去年已開(kāi)始量產(chǎn)速率為 24 Gbps 的 GDDR6X，容量為 16Gb 模塊。目前 GeForce RTX 4080 上采用的 GDDR6X 顯存為 MT61K512M32KPA-24，額定速率本身應(yīng)該是 24 Gbps，但被設(shè)定在 22.4 Gbps。

隨著 GDDR6 的速率也達(dá)到 24 Gbps，AMD 可能會(huì)因此而受益，出現(xiàn)在 Radeon RX 7x50 系列上。不知道隨著 GDDR6 速率趕上來(lái)，英偉達(dá)會(huì)不會(huì)更廣泛地在產(chǎn)品上采用。不過(guò)美光曾表示，在 GDDR6X 中對(duì) PAM4 信號(hào)傳輸技術(shù)方面的創(chuàng)新使其比其他 GDDR6 產(chǎn)品更加節(jié)能。

相比于三星和美光，SK 海力士似乎將重心放在 HBM 類存儲(chǔ)芯片上，旗下目前僅提供速率為 20 Gbps 的 GDDR6。