總投資達 130 億元的時代芯存為何進入了破產(chǎn)清算?
TechWeb 文 / 新喀鴉
根據(jù)全國企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)上的公告顯示,江蘇時代芯存半導體有限公司目前已正式進入破產(chǎn)清算程序。
(資料圖片僅供參考)
那么總投資高達 130 億元的江蘇時代芯存半導體是如何走到如今這步境地的?
相變存儲器
根據(jù)時代芯存官網(wǎng)上的介紹,時代芯存目前有兩款 " 相變存儲器 " 產(chǎn)品,分別是:
基于相變存儲材料的 2 兆位相變存儲器 EEPROM —— " 溥元 611"(2019 年 8 月發(fā)布)基于相變存儲材料的 64 兆位相變存儲器 NOR FLASH —— " 溥元 622"(2019 年 12 月發(fā)布)EEPROM
EEPROM 是一類通用型的非易失性存儲器芯片,在斷電情況下仍能保留所存儲的數(shù)據(jù)信息,可以在計算機或?qū)S迷O備上擦除已有信息重新編程,可擦寫次數(shù)至少 100 萬次,數(shù)據(jù)保存時間超過 100 年。EEPROM 雖然容量較小,但可擦寫次數(shù)高,因此適用于各類電子設備的小容量數(shù)據(jù)存儲和反復擦寫的需求,廣泛應用于智能手機攝像頭、工業(yè)控制、汽車電子、液晶面板、藍牙模塊、通訊、計算機及周邊、醫(yī)療儀器、白色家電等領域。
為了方便大家理解 " 溥元 611" 在行業(yè)中的水平,這里我們選擇國產(chǎn) EEPROM 廠商——普冉半導體的相關產(chǎn)品進行粗略對比。
工藝方面:" 溥元 611" 采用 40nm CMOS 工藝制程,普冉半導體的 EEPROM 產(chǎn)品主要采用 130nm 工藝制程,部分中大容量產(chǎn)品采用 95nm 及以下工藝制程下并已實現(xiàn)量產(chǎn)。也就是說 " 溥元 611" 所采用的工藝更加先進,性能更強。但普冉半導體由于使用更加成熟的工藝,其成本會更低。
容量方面:" 溥元 611" 容量為 2Mbit,普冉半導體 EEPROM 產(chǎn)品容量覆蓋 2Kbit 到 4Mbit。
工作溫度方面:" 溥元 611" 工作溫度為 -40 ℃至 +85 ℃。普冉半導體部分 EEPROM 產(chǎn)品工作溫度為 -40 ℃至 +125 ℃。
工作頻率方面:" 溥元 611" 最大工作頻率為 30MHz,而普冉半導體的 EEPROM 工作頻率一般最大只有幾 MHz(小于 10MHz)。這里可能是得益于使用了相變存儲材料," 溥元 611" 的最大工作頻率明顯高于市面上的一般 EEPROM。在數(shù)據(jù)保存時間方面:" 溥元 611" 的數(shù)據(jù)保存時間可達 100 年,算是在 EEPROM 中比較 " 標準 " 的數(shù)據(jù)。而普冉半導體的 EEPROM 產(chǎn)品,數(shù)據(jù)保持時間最高可達 200 年。
NOR FLASH
NOR Flash 具備隨機存儲、讀取速度快、芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP)等特點。作為數(shù)據(jù)讀取和存儲的重要器件,其主要功能是數(shù)據(jù)的存儲和讀取,同時實現(xiàn)開機啟動等固定運行的程序。由于 NOR Flash 不必把應用程序代碼讀到系統(tǒng) RAM 中即可直接運行,使得 NOR Flash 在運行程序時優(yōu)勢更顯著,適用于開機響應時間、可靠性等要求較高的電子設備。基于 NOR Flash 上述應用特點及性價比優(yōu)勢,其被廣泛應用于手機,電腦,可穿戴等消費類電子、汽車電子、安防、服務器、基站等工控領域、物聯(lián)網(wǎng)設備及其他領域。
為了方便大家理解 " 溥元 622" 在行業(yè)中的水平,這里我們選擇國產(chǎn) NOR FLASH 廠商——兆易創(chuàng)新的相關產(chǎn)品進行粗略對比。
工藝方面:" 溥元 622" 采用 40nm CMOS 工藝制程,兆易創(chuàng)新 NOR Flash 產(chǎn)品目前主要在 55nm 工藝制程。
容量方面:" 溥元 622" 容量為 64Mbit。兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash 可提供多達 16 種容量選擇,覆蓋 512Kb 到 2Gb。
工作溫度方面:" 溥元 622" 工作溫度為 -40 ℃至 +85 ℃。兆易創(chuàng)新提供的 NOR Flash 覆蓋 7 款溫度規(guī)格,其中多款產(chǎn)品可在 -40 ℃至 +125 ℃之間工作。結(jié)語
1、存儲器芯片市場由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等細分市場組成,據(jù) Yole 最新數(shù)據(jù),2022 年全球 DRAM 全球市場規(guī)模約 797 億美元,NAND Flash 全球市場規(guī)模約 587 億美元,NOR Flash 和 EEPROM 市場規(guī)模約 39.5 億美元,其中 DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)了存儲器芯片市場的主要份額。
也就是說,時代芯存目前的 " 主力產(chǎn)品 "NOR Flash 和 EEPROM 在存儲器芯片市場上的份額大概僅占 2.8%。這個市場規(guī)模相對來說較小。
此外,NOR Flash 和 EEPROM 市場已經(jīng)經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展,成立時間較早的華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等 NOR Flash 廠商以及意法半導體等 EEPROM 廠商已經(jīng)在收入規(guī)模、業(yè)務毛利率、專利技術等方面具備了一定的先發(fā)優(yōu)勢,并保持著較高的研發(fā)投入水平和研發(fā)人員數(shù)量,時代芯存作為市場新進入者,面臨的競爭壓力其實不小。
2、時代芯存的兩款產(chǎn)品工作溫度均為 -40 ℃至 +85 ℃,這種工作溫度雖然可以滿足一些工業(yè)級需求,但基本無緣主流車規(guī)級市場。
3、產(chǎn)品細分規(guī)格較少,很難滿足不同使用場景下的需求。比如有些使用場景需要大容量芯片,有些使用場景需要低成本芯片。通常大廠會針對一種芯片推出不同規(guī)格的產(chǎn)品,以滿足各種不同的需求。
4、時代芯存的產(chǎn)品使用了相較市場更加先進的制造工藝和技術,但這也意味著成本會更高。而對于 NOR Flash 和 EEPROM 市場來說,下游廠商非常重視芯片的成本。這使得下游廠商往往會更青睞于選擇性價比更高的 NOR Flash 和 EEPROM 芯片。
責任編輯:hnmd003
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