DRAM內存或引入EUV極紫外光刻 可將工藝制程推進10nm以下
儲大廠SK海力士的CEO李錫熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE國際可靠性物理研討會上發(fā)表主題演講，分享了在閃存、內存未來發(fā)展方面的一些規(guī)劃和展望。
3D NAND閃存方面，如今行業(yè)的發(fā)展重點不是更先進的工藝，也不是QLC、PLC，而是堆疊層數(shù)的不斷增加，SK海力士就已經(jīng)做到了176層。
SK海力士此前認為，3D閃存的堆疊層數(shù)極限是500層，不過現(xiàn)在更加樂觀，認為在不遠的將來就能做到600層。
當然，為了做到這一點，需要在技術方面進行諸多創(chuàng)新和突破，比如SK海力士提出了原子層沉積(ALD)技術，進一步強化閃存單元屬性，可以更高效地存儲、釋放電荷，并且在堆疊層數(shù)大大增加后依然保持電荷一致性。
為了解決薄膜應力(film stress)問題，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。
為了解決堆疊層數(shù)增加后存儲單元之間的干擾、電荷丟失問題，SK海力士開發(fā)了獨立的電荷阱氮化物(CTN)結構，以增強可靠性。
另外針對DRAM內存發(fā)展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝制程推進到10nm以下。
責任編輯：hnmd003
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