財聯(lián)社 7 月 30 日訊（編輯 劉越）隨著各路資本持續(xù)加注人工智能，高帶寬內(nèi)存（HBM）供不應(yīng)求，包括英偉達、AMD、微軟和亞馬遜等全球科技巨頭都在競購 SK 海力士的第五代高帶寬內(nèi)存 HBM3E。近日HBM" 救場 " 存儲芯片巨頭財報，三星電子存儲業(yè)務(wù)所在 DS 部門二季度虧損收窄，SK 海力士二季度銷售額超出分析師預(yù)期，公司表示，生成式 AI 市場的擴張已迅速推高了對 AI 服務(wù)器內(nèi)存的需求，因此，HBM3 和 DDR5 等高端產(chǎn)品的銷量增加。從二級市場表現(xiàn)來看，沾上 HBM 概念的 A 股上市公司也乘風(fēng)而起，HBM 環(huán)氧塑封料供應(yīng)商華海誠科、HBM 代理商香農(nóng)芯創(chuàng)和 HBM 基板供應(yīng)商中富電路股價自 5 月迄今累計最大漲幅分別達 157%、158% 和 136%。

美光科技此前曾表示，AI 服務(wù)器對 DRAM 和 NAND 的容量需求分別是常規(guī)服務(wù)器的 8 倍和 3 倍。存儲芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的是 DRAM，非易失性存儲芯片常見的是 NAND 閃存芯片和 NOR 閃存芯片。據(jù) WSTS 統(tǒng)計，2021 年存儲芯片市場中，DRAM 占比達到 61%，NAND Flash 占比為 36%，其他存儲芯片占比僅為 3%。

東方財富證券 2 月研報指出，DRAM 的市場頭部企業(yè)為三星、SK 海力士、美光等，中國大陸代表企業(yè)包括長鑫存儲、福建晉華等；NAND Flash 的市場頭部企業(yè)為三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等，中國大陸代表企業(yè)主要為長江存儲；NOR Flash 的市場頭部企業(yè)為華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等，中國大陸代表企業(yè)主要為兆易創(chuàng)新。

(資料圖)

▌全球存儲芯片三大龍頭 SK 海力士、三星和美光業(yè)績反彈 研報指出價格、供需和空間端等吹響行業(yè)復(fù)蘇號角

HBM 是當下數(shù)據(jù)處理速度最快的 DRAM 產(chǎn)品，是基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內(nèi)存芯片，將多個 DDR 芯片堆疊后與 GPU 封裝在一起，能夠?qū)崿F(xiàn)更高帶寬、更高位寬、更低功耗、更小尺寸。最新財報顯示，存儲芯片 DRAM 三大龍頭 SK 海力士、三星和美光業(yè)績端開始反彈。三星電子23Q2 由于智能手機出貨量下降而營收下降，但存儲業(yè)務(wù)較上一季度有所改善，官方稱主要是由于公司專注于 HBM 和 DDR5 產(chǎn)品；SK 海力士在截至 6 月 30 日的一個季度中，其銷售額為 7.31 萬億韓元（約 57 億美元），同比下降 47%，但超出分析師預(yù)計的 6.05 萬億韓元。雖然目前 HBM 在 SK 海力士的營收占比不及 1%，但今年這一比例便有望上升至 10%；美光 23Q2 業(yè)績結(jié)束連續(xù)三季度的下降迎來反彈，此外，中國臺灣地區(qū)原廠月度業(yè)績亦連續(xù)環(huán)比改善。

天風(fēng)證券潘暕 7 月 17 日發(fā)布的研報指出，近期存儲芯片利好頻傳拐點或已現(xiàn)，復(fù)蘇號角似乎已在耳畔。從歷史周期維度看，存儲行業(yè)周期約為 3-4 年，本周期自 2020Q1 起始，于 2022Q1 價格階段性見頂，目前已連續(xù) 6 個季度降價，處于周期筑底階段。

價格方面，今年 Q2 起，多家供應(yīng)商發(fā)出觸底信號。先是三星和美光向經(jīng)銷商發(fā)出通知，不再低價接單 DRAM 及 NANDFlash，拒絕接受低于 4 月的報價。5 月份，有消息稱長江存儲原廠閃存正式開始漲價 3-5% 幅度后，三星電子、SK 海力士等正在考慮提高報價。6 月下旬，供貨商中僅三星愿意進行 cSSD（消費級固態(tài)硬盤）提前交易，經(jīng)銷商希望供貨商讓步但都遭拒絕。

潘暕指出，供給需求端，6 月美光公布預(yù)計減產(chǎn)到 2024 年，早前 2022Q4 各原廠大幅削減資本開支，如果按正常生產(chǎn)周期 3-4 個月來看，供給有明顯收縮減產(chǎn)效果將在 Q2、Q3 加速顯現(xiàn)。南亞科表示公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。華邦近期消費電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應(yīng)用客戶需求回溫，工控相關(guān)接單也持續(xù)發(fā)燙，客戶急單涌入，而且 " 量也不少 "。

此外，空間端，短期來看 23Q2 起存儲芯片規(guī)模或?qū)⒅鸺驹鲩L，長期來看 AI 催化下存儲需求有望數(shù)倍提升。地緣政治端，海外大廠逐步退出利基市場，美光事件加速本土替代。

▌存儲芯片將至未至的底部反轉(zhuǎn)或 " 遲到 " 兩個季度 機構(gòu)預(yù)計 DRAM 或較 NAND Flash 更快復(fù)蘇 多家 A 股上市公司跨界布局

值得注意的是，目前存儲芯片行業(yè)似乎正從多角度證實即將觸底反彈，但760 億 A 股龍頭兆易創(chuàng)新股價 " 依然冷靜 "。事實上，將至未至的反轉(zhuǎn)甚至已經(jīng) " 姍姍來遲 "。近日，市場調(diào)研機構(gòu) Yole Intelligence 更新了一份存儲芯片市場的監(jiān)測數(shù)據(jù)報告，在 Yole 原本的預(yù)測中，全球存儲芯片市場將于 2023 年第二季度開始復(fù)蘇，但其最新報告指出對于 2023 年第三季度的存儲芯片市場不用再抱太大的希望，樂觀估計市場將從今年第四季度開始回暖。

不過，預(yù)測存儲市場將在即將到來的第四季度復(fù)蘇的不只是 Yole 一家。據(jù)臺灣經(jīng)濟日報、科技新報援引美國市場調(diào)查機構(gòu)發(fā)布的最新報告稱，美光、西部數(shù)據(jù)等存儲芯片供貨商認為產(chǎn)品價格已跌到底，開始取消以折扣價提前進行批量交易的模式，甚至開始抬高價格。該調(diào)查機構(gòu)預(yù)計，Q3 起，存儲芯片價格下跌幅度將會收窄，部分產(chǎn)品合約價格很可能從 Q4 起出現(xiàn)上升拐點，不同產(chǎn)品線情況有別，明年有望全面復(fù)蘇。

從市場面的消息來看，DRAM 的復(fù)蘇可能相比 NAND Flash 來得更快一些。TrendForce 集邦咨詢最新預(yù)計稱，第三季整體 NAND Flash 均價持續(xù)下跌約 3%-8%，第四季有望止跌回升，第三季 DRAM 均價跌幅將會收斂至 0-5%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 7 月 25 日發(fā)布的文章《存儲芯片的寒風(fēng)，要停了》中指出，DRAM 三季度觸底，NAND 再等一季。此前有產(chǎn)業(yè)鏈人士表示，三星、SK 海力士和美光三大廠商都希望在第三季度拉升 DRAM 訂單的合約價，目標漲幅 7%-8%。不過，由于終端市場沒有看到明顯的復(fù)蘇跡象，因此上下游目前有明顯的拉鋸跡象。NAND 方面，近日市場也傳出上游 NAND 原廠計劃從 7 月開始調(diào)漲價格的消息。

此外，據(jù)網(wǎng)信辦 5 月消息，在中國存儲市場 " 占地不菲 " 的美光公司未能通過網(wǎng)絡(luò)安全審查，平安證券研報指出，2022 年美光在中國大陸的營業(yè)收入為 33.11 億美元。分析人士指出，倘若美光在中國的業(yè)務(wù)受限，首先受益的自然是利基存儲市場。在技術(shù)壁壘相對較低的利基存儲領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新是成長最快、實力最強的公司。此外，車載存儲龍頭北京君正和國內(nèi) SLC NAND 領(lǐng)域龍頭東芯股份有望受益。下游的存儲模組行業(yè)，江波龍和佰維存儲在全球市場也有較強競爭力，其中江波龍的 eMMC 及 UFS 產(chǎn)品在全球市場占有率為 6.5%，全球第六，國內(nèi)第一；佰維存儲的 eMMC 及 UFS 全球市占率 2.4%，全球第八，國內(nèi)第二。這兩家公司的主要供應(yīng)商都包括美光。

分析人士指出，雖然存儲芯片下游的庫存壓力還在，但通過主要廠商的動態(tài)以及行業(yè)分析數(shù)據(jù)來看底部就在眼前，為了趕上行業(yè)拐點之后的下一波旺周期，萬潤科技、力源信息、香農(nóng)芯創(chuàng)和國芯科技等眾多廠商跨界布局。不過，分析人士亦指出，就算把國產(chǎn)存儲已有的公司兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份和普冉股份等算上，目前國產(chǎn)存儲產(chǎn)品大都是在 SSD 模組和 NOR Flash 層面，很難觸及國際廠商大力推行的高端 DRAM 等市場，這就導(dǎo)致國產(chǎn)存儲廠商很難享受增量市場的紅利，需要在存儲市場供需中隨波逐流。